达林顿晶体管阵列SiproinULN2803

数据: fb1a5fd23266f42acbfe11a94913533a.pdf

集射极击穿电压Vceo : 50V
晶体管类型 : 达林顿
脚间距 : 1.27mm
集电极电流 Ic : 500mA
正向压降VF : 2V
输入电压 : 30V
反向电流Ir : 50µA
存储温度 : -65℃~+150℃
输入电容(Ci) : 15pF
封装/外壳 : SOP18_300MIL
安装类型 : SMT
工作温度 : +150℃
通道数 : 八路
长x宽/尺寸 : 11.55 x 7.50mm
高度 : 2.65mm
引脚数 : 18Pin
高压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2803由Siproin设计生产。ULN2803封装/规格:集射极击穿电压Vceo/50V:晶体管类型/达林顿:脚间距/1.27mm:集电极电流 Ic/500mA:正向压降VF/2V:输入电压/30V:反向电流Ir/50µA:存储温度/-65℃~+150℃:输入电容(Ci)/15pF:封装/外壳/SOP18_300MIL:安装类型/SMT:工作温度/+150℃:通道数/八路:长x宽/尺寸/11.55 x 7.50mm:高度/2.65mm:引脚数/18Pin:,高压大电流达林顿晶体管阵列。你可以下载ULN2803中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有达林顿晶体管阵列详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

技术文档

数据手册(1)

分享到

QQ空间 QQ好友 微博
取消