配置 ：
单路
阈值电压 ：
1.4V@250μA
Vgs(Max) ：
±12V
工作温度 ：
-55℃~+150℃
功率耗散 ：
1.1W
反向传输电容Crss ：
73pF
栅极源极击穿电压 ：
±12V
击穿电压 ：
20V
极性 ：
P-沟道
元件生命周期 ：
Active
存储温度 ：
-55℃~+150℃
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
1.11mm
长x宽/尺寸 ：
3.04 x 1.40mm
原产国家 ：
China
原始制造商 ：
Leshan Radio Company,Ltd.
类型 ：
1个P沟道
输入电容 ：
869pF
零件状态 ：
Active
漏源电压(Vdss) ：
20V
连续漏极电流 ：
4.7A
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOT-23
导通电阻(RDS(on) ：
75mΩ
20V P沟道增强型MOSFET
LP3443LT1G由LRC设计生产。LP3443LT1G封装/规格：配置/单路：阈值电压/1.4V@250μA：Vgs(Max)/±12V：工作温度/-55℃~+150℃：功率耗散/1.1W：反向传输电容Crss/73pF：栅极源极击穿电压/±12V：击穿电压/20V：极性/P-沟道：元件生命周期/Active：存储温度/-55℃~+150℃：引脚数/3Pin：高度/1.11mm：长x宽/尺寸/3.04 x 1.40mm：原产国家/China：原始制造商/Leshan Radio Company,Ltd.：类型/1个P沟道：输入电容/869pF：零件状态/Active：漏源电压(Vdss)/20V：连续漏极电流/4.7A：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT-23：导通电阻(RDS(on)/75mΩ：，20V P沟道增强型MOSFET。你可以下载LP3443LT1G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
