安装类型 ：
SMT
工作电压（范围） ：
1.7V~1.95V,1.06V~1.17V
存储容量 ：
16Gb
最大时钟频率 ：
1.866GHz
元件生命周期 ：
Active
存储温度 ：
-55~+125℃
高度 ：
1.10mm
长x宽/尺寸 ：
14.50 x 10.00mm
原产国家 ：
China
原始制造商 ：
RAYSON HI-TECH(SZ) LIMITED
零件状态 ：
Active
工作温度 ：
-25℃~+85℃
存储器格式 ：
DRAM
封装/外壳 ：
VFBGA200_10X14.5MM
200b: x32 LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
RS512M32LO4D1BDS-53BT由Rayson设计生产。RS512M32LO4D1BDS-53BT封装/规格：安装类型/SMT：工作电压（范围）/1.7V~1.95V,1.06V~1.17V：存储容量/16Gb：最大时钟频率/1.866GHz：元件生命周期/Active：存储温度/-55~+125℃：高度/1.10mm：长x宽/尺寸/14.50 x 10.00mm：原产国家/China：原始制造商/RAYSON HI-TECH(SZ) LIMITED：零件状态/Active：工作温度/-25℃~+85℃：存储器格式/DRAM：封装/外壳/VFBGA200_10X14.5MM：，200b: x32 LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM。你可以下载RS512M32LO4D1BDS-53BT中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DRAM存储器详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
