肖特基二极管JSMSEMIBAT54C

数据: a5914e086944cb63943549eb50382bf1.pdf

功率耗散(最大值) : 250mW
二极管配置 : 共阴极
安装类型 : SMT
正向压降VF Max : 800mV
正向压降VF Min : 240mV
反向击穿电压 : 30V
存储温度 : -55℃~+150℃
引脚数 : 3Pin
高度 : 1.10mm
长x宽/尺寸 : 3.10 x 1.50mm
反向耐压VR : 30V
平均整流电流 : 200mA
反向漏电流IR : 2µA
反向恢复时间(trr) : 5ns
封装/外壳 : SOT-23
2uA@25V 30V Dual Common Cathode 1V@100mA 200mA SOT-23 肖特基二极管
BAT54C由JSMSEMI设计生产。BAT54C封装/规格:功率耗散(最大值)/250mW:二极管配置/共阴极:安装类型/SMT:正向压降VF Max/800mV:正向压降VF Min/240mV:反向击穿电压/30V:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/1.10mm:长x宽/尺寸/3.10 x 1.50mm:反向耐压VR/30V:平均整流电流/200mA:反向漏电流IR/2µA:反向恢复时间(trr)/5ns:封装/外壳/SOT-23:,2uA@25V 30V Dual Common Cathode 1V@100mA 200mA SOT-23 肖特基二极管。你可以下载BAT54C中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有肖特基二极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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