通用三极管DIOSMMBTH10

数据: DIOS_MMBTH10.pdf

晶体管类型 : NPN
集射极击穿电压Vceo : 15V
DC电流增益(hFE) : 70~190
集电极电流 Ic : 50mA
功率耗散 : 200mW
工作温度 : -55℃~+150℃(TJ)
安装类型 : SMT
封装/外壳 : SOT-23
引脚数 : 3Pin
高度 : -
长x宽/尺寸 : -
通用三极管 NPN 15V 50mA SOT-23
MMBTH10由DIOS设计生产。MMBTH10封装/规格:晶体管类型/NPN:集射极击穿电压Vceo/15V:DC电流增益(hFE)/70~190:集电极电流 Ic/50mA:功率耗散/200mW:工作温度/-55℃~+150℃(TJ):安装类型/SMT:封装/外壳/SOT-23:引脚数/3Pin:高度/-:长x宽/尺寸/-:,通用三极管 NPN 15V 50mA SOT-23。你可以下载MMBTH10中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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