MOSFETsTWTLSEMI2N7002KDW

数据: TL-2N7002KDW SOT-363.pdf

功率耗散 : 150mW
极性 : 2个N-沟道
引脚数 : 6Pin
高度 : 1.00mm
长x宽/尺寸 : 2.10 x 1.25mm
漏源电压(Vdss) : 60V
连续漏极电流 : 340mA
安装类型 : SMT
封装/外壳 : SOT-363
MOSFETs 2个N-沟道 60V 340mA SOT-363
2N7002KDW由TWTLSEMI设计生产。2N7002KDW封装/规格:功率耗散/150mW:极性/2个N-沟道:引脚数/6Pin:高度/1.00mm:长x宽/尺寸/2.10 x 1.25mm:漏源电压(Vdss)/60V:连续漏极电流/340mA:安装类型/SMT:封装/外壳/SOT-363:,MOSFETs 2个N-沟道 60V 340mA SOT-363。你可以下载2N7002KDW中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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