阈值电压 ：
4V@270μA
额定功率 ：
300W
极性 ：
N-沟道
类型 ：
1个N沟道
漏源电压(Vdss) ：
250V
连续漏极电流 ：
64A
封装/外壳 ：
TO-263(D²Pak)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) ：
20mΩ@10V,64A
IPB200N25N3 G由Infineon设计生产。IPB200N25N3 G封装/规格：阈值电压/4V@270μA：额定功率/300W：极性/N-沟道：类型/1个N沟道：漏源电压(Vdss)/250V：连续漏极电流/64A：封装/外壳/TO-263(D²Pak)：导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)/20mΩ@10V,64A：，。你可以下载IPB200N25N3 G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
