安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光电源设计,导通电阻低至5.9mΩ​

电子说 2022-06-15 01:57

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国芯思辰(深圳)科技有限公司

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在激光电源产品上主要以ACDC为主,功率拓扑为PFC+LLC。由于目前全球疫情、自然灾害等因素,导致进口器件在供货方面有很大影响,交期拉长,影响产品出货,很多厂家为了避免供货风险,逐渐倾向于找国产品牌替代以缓解交期和成本上的压力。

本文重点介绍国产安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光电源设计,采用PFC+LLC的方案,如下图所示。采用安森德4颗分立的MOS ASDM100R066NQ组成全桥LLC拓扑,PDFN5*6-8小体积封装有利于PCB灵活布线,导通电阻低至5.9mΩ,可减少导通损耗,提高转换效率。

 

激光电源的主功率框图

 

针对激光电源上的LLC主功率部分功率MOS管的选型需要注意以下几点:

1、目前电压为70V,MOS的耐压需要留1.5倍以上的耐压余量,防止极限工况下,电压应力超标;

2、由于电源的体积以及高温环境限制,因此MOS管要选择更低的导通电阻值,更小的封装,可有效降导通损耗减小发热量;

3、ID连续漏极电流需要有一定的余量,来有效抵抗过流、短路工况下,电流应力超标;

4、由于设计的电源尺寸比较小,需要选择较小封装贴片的MOS管,如5*6或者8*8等。

 

ASDM100R066NQ封装尺寸

 

国产安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光电源设计,具有几下几点优势:

1、最高耐压为100V,满足母线电压系统,耐压余量大,防止MOS管在短路等极限工况下,产生的电压尖峰而损坏;

2、在VGS=10V,ID=68A测试条件下,导通电阻最大为2.9mΩ,可降低MOS的整体损耗,减少发热量,提高转换效率;

3、在VDD=50V,ID=13.5A,VGS=10V测试条件下,栅极电荷仅45nc,具有更好的开关特性;

4、ID为68A,108W的耗散功率具有较高的电流余量;140A的峰值浪涌电流,可有效抵抗输出短路、过流等工况;

5、采用PDFN5*6-8封装,通用封装可替换市面大部分厂商器件,封装小可灵活的进行PCB布局,电源小型化设计;

6、成熟批量出货器件,供货交期、价格均有很好的保障。

 

 

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