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体是有大量微观物质单位按一定规则有序排列的结构，因此可以从结构单位的大小来研究判断排列规则和晶体形态。
NSBC143EPDXV6 互补双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
NSBC143ZDP6 双NPN双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
NSBC144EDXV6 双NPN双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
NSBC143ZPDXV6 互补双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
NSBC143EDXV6 双NPN双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
FJX3007R 带偏置电阻的NPN外延硅晶体管
带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计，可极大地节约空间和成本。 特性 100 mA输出电流处理能力 内置偏置电阻（
FJX4003R 带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计，可极大地节约空间和成本。 特性 100 mA输出电流处理能力 内置偏置电阻（
FJV4114R 带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计，可极大地节约空间和成本。 特性 100 mA输出电流处理能力 内置偏置电阻（
FJX3008R 带偏置电阻的NPN外延硅晶体管
带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计，可极大地节约空间和成本。 特性 100 mA输出电流处理能力 内置偏置电阻（
TIP147 10 A 100 V PNP达林顿双极功率晶体管
达林顿双极功率晶体管设计用于通用放大器和低频开关应用。 TIP140，TIP141，TIP142，（NPN）; TIP145，TIP146，TIP147，（PN
NSBC114EPDP6 互补双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
NSBC144EF3 NPN双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
FJX3014R 带偏置电阻的NPN外延硅晶体管
带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计，可极大地节约空间和成本。 特性 100 mA输出电流处理能力 内置偏置电阻（
MUN5137 PNP双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
FJX4006R 带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计，可极大地节约空间和成本。 特性 100 mA输出电流处理能力 内置偏置电阻（
MUN5336DW1 互补NPN + PNP双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
FJY3002R 带偏置电阻的NPN外延硅晶体管
带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计，可极大地节约空间和成本。 特性 100 mA输出电流处理能力 内置偏置电阻（
NZT605 NPN达林顿晶体管
NZT605 特性 该器件为要求极高增益，集电极电流高达1.0A和高击穿电压的应用设计。 采用工艺06设计。 应用
MUN5137DW1 双PNP双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
MUN2134 PNP双极数字晶体管（BRT）
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电
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