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英飞凌推出全新650V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率
2021-08-06
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英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计
2021-08-06
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适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%，并将PCB占用空间减小80%
2021-08-04
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高集成度、完整保护功能的PWM控制器难找？看看CR6863B方案
2021-07-30
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ROHM开发出LiDAR用75W高输出功率激光二极管“RLD90QZW3”
2021-07-28
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Microchip推出业界耐固性最强的碳化硅功率解决方案取代硅IGBT，现已提供1700V版本
2021-07-28
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一文看懂氮化镓：纳微最全介绍，带你极速认识第三代半导体
2021-07-20
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新品|国内首款兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动器SLMi33x
2021-07-19
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纳微半导体中文官网正式上线！
2021-07-15
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确保SiC验证测试准确度，有效测量碳化硅功率电子系统中的信号
2021-07-13
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ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”
2021-07-08
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科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术，高效赋能新型超宽带5G
2021-07-05
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英飞凌推出高性能CIPOS™Maxi智能功率模块(IPMs) IM818-LCC
2021-06-30
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Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引脚标准逻辑DHXQFN封装
2021-06-30
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过压保护:TDK推出具有超低电容和钳位电压的超小型TVS二极管
2021-06-28
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Vishay新型SMD HI-TMP®液钽电容器可节省基板空间并提高可靠性
2021-06-28
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三星首款基于MOSFET冰箱变频器设计采用英飞凌600V CoolMOS™ PFD7
2021-06-25
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2021-06-24
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Nexperia新8英寸晶圆生产线启动，首批产品具有行业内极低的Qrr品质因数（RDS（on）x Qrr）
2021-06-24
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2021-06-22
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