C2M1000170D为1700 V 分立碳化硅 MOSFET。为下一代电源转换提供更快的开关和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可实现更小、更高效的电源转换系统。与基于硅的解决方案相比；碳化硅技术可提高系统功率密度；更高的开关频率；较小的设计；冷却器组件；减小电感器等组件的尺寸；电容器；滤波器和变压器；和总体成本效益。
优点
• 更高的系统效率
• 提高系统开关频率
• 降低冷却要求
• 提高系统可靠性
特征
• 低电容的高速开关
• 高阻断电压和低 RDS(on)
• 易于并联且易于驱动
• 超低漏栅电容
• 无卤素，符合 RoHS 标准
应用
• 辅助电源
• 开关模式电源
• 高压容性负载
漏源电压:1700V
栅极 - 源极电压：-10/+25
栅极 - 源极电压：-5/+20
脉冲漏极电流：15A
功耗：69W
工作结温和存储温度:-55to+150˚C
焊接温度:260˚C
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