FF1400R17IP4P
1700 V, 1400 A 半桥双IGBT模块， 采用第四代 TRENCHSTOP™ IGBT、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC、软开关芯片以及 预涂热界面材料。
特征描述
- 提高工作温度Tvj op
- 高直流电压稳定性
- 高电流密度
- 低开关损耗
- Tvj op = 150°C
- 低 VCEsat
- 封装的 CTI > 400
- 高爬电距离和电气间隙
- 高功率循环和温度循环能力
- 铜基板
- UL 认证
优势
- 高功率密度
- 标准封装
应用领域
- 电机控制和驱动
- 风能系统
- 输配电
英飞凌IGBT 功率模块
型号:
FF1400R17IP4