| 品牌： | Infineon |
| 型号： | IRFB3206PBF |
| 封装： | N/A |
| 批次： | 22+ |
| 数量： | 30000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 3 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 170 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 6540 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值）： | 300W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
IRFB3206PBF 场效应管 Infineon 封装N/A 批次22+
型号:
IRFB3206PBF
品牌:
Infineon(英飞凌)