WNM2306-3-TR-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: WNM2306-3-TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

**产品型号:** WNM2306-3-TR-VB

**丝印:** VB1240

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:N-Channel
- 最大工作电压:20V
- 最大电流:6A
- 导通电阻:RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压:Vth = 0.45~1V

**应用简介:**
WNM2306-3-TR-VB是VBsemi品牌的SOT23封装、N-Channel沟道类型的MOSFET。具有20V的最大工作电压和6A的最大电流,其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种电子应用中表现卓越。

**领域和模块应用:**
1. **电源管理模块:** 适用于电源开关、稳压器和电池管理系统,提供高效的能量转换和可靠的电流控制。
2. **电机驱动:** 在电机控制领域,可用于电机驱动模块,实现高效的电机运行。
3. **照明系统:** 可应用于LED驱动和电子调光模块,提供精确的照明控制。
4. **DC-DC转换器:** 适用于嵌入式DC-DC转换器,提高系统的能量转换效率。

WNM2306-3-TR-VB的特性使其成为各种领域电子设备中的关键组成部分,提升系统性能和效率。

--- 数据手册 ---