### 产品简介
**27N3LH5-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO220封装。这款MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和20V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为1.7V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为4.5V时为9mΩ，在栅源电压为10V时为6mΩ，最大漏极电流（ID）为80A。采用Trench技术，适用于各种高电流低压应用场景。
### 详细参数说明
| 参数 | 规格 |
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| 封装类型 | TO220 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压（VDS） | 30V |
| 栅源电压（VGS） | 20V（±） |
| 开启阈值电压（Vth） | 1.7V |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 9mΩ@VGS=4.5V, 6mΩ@10V |
| 最大漏极电流（ID） | 80A |
| 技术 | Trench |
### 应用领域和模块
1. **电机驱动**：27N3LH5-VB MOSFET适用于高功率电机驱动，如电动汽车、电动工具和工业电机。其高漏极电流和低导通电阻能力使其能够提供高效的电机控制和驱动。
2. **电源模块**：在需要高功率密度和高效率的电源模块中，27N3LH5-VB MOSFET可以用作开关元件。其高电流和低导通电阻特性使其能够提供稳定可靠的电源输出。
3. **服务器电源**：在服务器和数据中心的电源管理中，27N3LH5-VB MOSFET可以用于DC-DC转换器和服务器电源单元（PSU）。其高效率和高可靠性使其成为服务器电源的理想选择。
4. **工业控制**：在工业自动化和控制系统中，这款MOSFET可以用于各种高功率开关应用，如变频器、UPS和工业电源。其高电流和低导通电阻能力使其适用于各种高功率工业设备。
5. **汽车电子**：在汽车电子系统中，27N3LH5-VB MOSFET可以用于电动汽车的电动驱动系统、充电桩和车载电源管理。其高电流和高效率使其能够满足汽车电子系统对功率密度和效率的要求。