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WNM07N65F

型号简介
       WNM07N65FWILLSEMI/OmniVision推出的一款650V N-Channel 增强型 MOSFET 晶体管。它采用先进的高电压 MOSFET 工艺和设计,提供了优秀的 RDS(ON) 特性和低门极电荷。该器件适用于流行的 AC-DC 应用、功率开关应用和多种其他应用。

 

型号规格

  • 品牌:WILLSEMI/OmniVision
  • 型号:WNM07N65F
  • 名称:晶体管
  • 封装:TO-220, TO-220F

 

型号特点

  • 650V@TJ=25°C 的最大漏源电压
  • 典型的 RDS(ON) 为 1.0 欧姆
  • 低门极电荷
  • 100% 雪崩测试
  • 100% Rg 测试
  • 最大漏极电流为 7A(TC=25°C)
  • 最大脉冲漏极电流为 28A
  • 单脉冲雪崩能量为 124mJ
  • 最大功率耗散为 156W(TC=25°C)
  • 工作和存储温度范围为 -55°C 至 150°C

 

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