产品描述
HAL202TQ-K是一款由Micronas生产的高性能霍尔效应传感器，采用CMOS技术制造。这款传感器集成了温度补偿霍尔板、活动偏移补偿、比较器和开路漏极输出晶体管。它专为工业和汽车应用设计，能够在3.8V至24V的供电电压下工作，并在-40°C至170°C的结温范围内操作。
产品特性
- 温度补偿：内置的温度补偿功能保证了在不同温度下的性能稳定性。
- 宽电压范围：适用于3.8V至24V的宽范围供电电压。
- 机械应力抵抗：活动偏移补偿技术使传感器对机械应力影响具有鲁棒性。
- 过压保护：所有引脚具备过压保护功能。
- 反向电压保护：VDD引脚具有反向电压保护。
- 短路保护：通过热关闭保护开路漏极输出。
- 宽温度范围内恒定的开关点：内置的负温度系数补偿了由于温度上升导致的磁场密度降低。
- 高ESD等级：具有高静电放电等级，符合EMC标准ISO 7637。
- 封装类型：SMD封装SOT89B-3
应用领域
- 工业自动化：用于机器和设备的磁场检测和位置感测。
- 汽车应用：在汽车系统中用于检测磁场变化，如变速箱位置感测。
- 位置和速度检测：在需要精确位置反馈的应用中，如机器人技术和自动化设备。
- 角度和旋转感测：适用于需要测量角度或旋转速度的应用。
技术规格摘要
- 供电电流：在-40°C至+170°C温度范围内，供电电流为1.6mA至5.2mA。
- 过压保护：VDD引脚的过压保护为-15V至32V。
- 输出电压：输出电压在-0.3V至28V范围内。
- 输出漏电流：在25°C时，输出关闭状态下的漏电流小于10µA。
- 内部振荡器频率：在62kHz至更高频率范围内。
- 启用时间：输出在设置VDD后的启用时间为35µs。
- 上升时间和下降时间：分别为75ns至400ns。