高低侧栅极驱动芯片-ID2006
一、概述
ID2006是-款基于P衬底、P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，具有独立的高低边参考输出通道。该浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET，工作电压高达200V。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力。
二、产品特诊
高侧浮动偏移电压200V
输入逻辑兼容3.3V/5V
dV/dt抗干扰能力*50V/nsec
栅驱动电压范围6V~18V
拉/灌电流能力典型值1A/1A
VS负偏压能力典型值-9V
三、应用领域
中小型功率电机驱动
功率MOSFET驱动
半桥功率逆变器
全桥功率逆变器
任意互补驱动转换器
四、封装订购信息
五、典型电路
