QPD1006 是一款工作频率为 1.2 至 1.4 GHz 的 GaN-on-SiC HEMT 晶体管

型号: QPD1006 是一款工作频率为 1.2 至 1.4 GH

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深圳市华沣恒霖电子科技有限公司

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Qorvo 的 QPD1006 RF 晶体管

Qorvo的 QPD1006 RF 晶体管 

Qorvo 的 QPD1006 是一款工作频率为 1.2 至 1.4 GHz 的 GaN-on-SiC HEMT 晶体管。它提供 313 瓦的 CW 输出功率(增益为 17.5 dB)和 468 瓦的脉冲功率(增益为 17.8 dB),漏极效率超过 55%。该器件内部匹配至 50 欧姆,采用行业标准的气腔封装。

产品详情

  • 零件编号:QPD1006
  • 制造商:Qorvo
  • 描述:GaN-on-SiC HEMT 晶体管,频率 1.2 至 1.4 GHz
     

常规参数

  • 晶体管类型:HEMT
  • 技术:SiC 上的 GaN、GaN
  • 应用行业:航空航天和国防、雷达、无线基础设施
  • 应用:雷达
  • 连续波/脉冲:脉冲,连续波
  • 频率:1.2 至 1.4 GHz
  • 功率:54.96 dBm(CW,3dB 压缩),56.7 dBm(脉冲
  • 功率(W):313 W(CW,3dB压缩),468 W(脉冲
  • 脉冲宽度:100 us
  • 占空比:10%
  • 增益:17.5 dB(连续波),17.8 dB(脉冲)
  • 电源电压:45 V(连续波),50 V(脉冲)
  • 电流:750毫安
  • 封装类型:陶瓷
  • RoHS:是
  • 工作温度:-40 至 85 摄氏度
  • 存储温度:-65 至 150 摄氏度

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