160A、650V绝缘栅双极型晶体管
SGT160V65S1PW-IGBT模块
一、描述
SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于车驱,UPS,SMPS等领域。
二、特点
160A,650V,VCE(sat)(典型值)=1.42V@IC=160A
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
TJmax=175度
三、封装信息
四、命名规则
五、产品规格分类
东莞市中铭电子
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160A、650V绝缘栅双极型晶体管
SGT160V65S1PW-IGBT模块
一、描述
SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于车驱,UPS,SMPS等领域。
二、特点
160A,650V,VCE(sat)(典型值)=1.42V@IC=160A
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
TJmax=175度
三、封装信息
四、命名规则
五、产品规格分类
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