60A、650V绝缘栅双极型晶体管
SGT60U65FD1PN(PT)(P7)-IGBT模块
一、描述
SGT60U65FD1PN(PT)(P7)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus (Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗, .该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
二、特点
60A,650V,VeE(sat(其型)=2.0V@lc=60A
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
三、封装信息
四、命名规则
五、产品规格分类
东莞市中铭电子
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60A、650V绝缘栅双极型晶体管
SGT60U65FD1PN(PT)(P7)-IGBT模块
一、描述
SGT60U65FD1PN(PT)(P7)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus (Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗, .该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
二、特点
60A,650V,VeE(sat(其型)=2.0V@lc=60A
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
三、封装信息
四、命名规则
五、产品规格分类
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