### 90N3LLH6-VB MOSFET 产品简介
90N3LLH6-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)封装，适合于要求高功率密度和高效能的电子应用。它具有低导通电阻、高电流承受能力和优秀的热特性，适用于各种需要可靠功率开关和电流控制的电路设计。
### 90N3LLH6-VB 详细参数说明
- **封装类型 (Package)**: DFN8(5X6)
- **配置 (Configuration)**: 单N沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术 (Technology)**: Trench
### 适用领域和模块应用示例
90N3LLH6-VB MOSFET适用于以下各种领域和模块中：
1. **电源管理**: 在高性能电源转换器和开关电源设计中，用于提供高效率的电能转换和稳定的电压输出。
2. **电动工具和电动车辆**: 作为电动工具和电动车辆中电池管理和电机驱动系统的关键组件，以支持高功率和长时间使用。
3. **服务器和数据中心**: 在服务器和数据中心的电源供应单元中，用于高密度和高效能的电源管理和散热控制。
4. **消费电子**: 在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路中，用于提供长续航时间和高效能的能源管理解决方案。
5. **工业自动化**: 在工业自动化设备和机器人控制系统中，用于动态负载控制和高功率驱动，提升生产效率和设备可靠性。
90N3LLH6-VB因其低导通电阻、高电流承受能力和优秀的热管理特性，特别适用于对功率密度和效率要求高的现代电子设备和工业应用中。