### 一、产品简介
**产品型号：** 97E640-VB
**封装形式：** SOT669
**配置：** 单N沟道MOSFET
**技术：** Trench技术
97E640-VB是一款单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术设计，具有低导通电阻和高电流承载能力，适合高性能功率管理和开关应用。
### 二、详细参数说明
- **VDS（漏源极电压）：** 40V
- **VGS（栅源极电压）：** ±20V
- **Vth（阈值电压）：** 1.4V
- **RDS(ON)（导通电阻）：**
- 2.4mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **ID（漏极电流）：** 100A
### 三、应用领域及模块举例
97E640-VB适用于多种需要高效能、高可靠性的功率管理和开关控制领域，具体应用包括但不限于：
- **电源管理和供电系统：** 在开关电源、DC-DC转换器、逆变器和稳压器中，用于高效能的能量转换和稳定的电源输出。
- **电动工具和家电：** 在电动工具的电机控制、家电产品的电源管理和负载开关中，提升设备的性能和能效。
- **电动车辆充电系统：** 作为电动车充电桩中的关键开关器件，确保高效的充电过程和稳定的电能转换。
- **工业自动化和电力控制：** 用于工业控制系统中的电机驱动、电力开关和功率逆变控制，提高设备的生产效率和精度。
综上所述，97E640-VB MOSFET因其优异的导通特性和高电流承载能力，广泛应用于要求高性能功率开关和电流控制的工业和消费电子领域。