描述
此门驱动光电耦合器系列包含一个 GaAsP LED。 该 LED 与一个配有功率级的集成电路进行光电耦合。这些光电耦合器理想地适用于在等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制变频器应用中对功率 IGBT 和 MOSFET 进行高频驱动。
特性
·2.0A 最小输出电流
·250kHz 最大开关速度
·高速响应，工作温度范围内具有 200ns 最大传播延迟
·Vcm = 1500V 时，最低 10 KV/us 共模抑 (CMR) 能力
·带滞后欠压锁定 (UVLO)保护
·宽泛的工作温度范围：-40°C 到 100°C
·宽泛的 Vcc 工作范围：10V 到 20V
·20ns 典型值 脉冲宽度失真
·安全认证：
- UL 认证申请中，3750 Vrms/min
- CSA认证
- DIN EN 60747-5-2 认证申请中
应用
等离子显示面板（PDP）
分布式电源架构（DPA）
开关式整流器（SMR）
高性能DC/DC转换器
高性能开关电源（SMPS）
高性能不间断电源（UPS）
隔离IGBT/功率MOSFET栅极驱动
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