B298L-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: B298L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

**B298L-VB** 是一款高性能单N沟道 MOSFET,封装形式为 TO263。该 MOSFET 采用 Trench 技术,设计用于中高电压和高电流应用。它具有较高的耐压和低导通电阻,专为电源管理和功率控制模块设计,提供优异的开关性能和能效。

### 详细参数说明

- **型号**: B298L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (V_DS)**: 100V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **栅源阈值电压 (V_th)**: 2.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
 - 4.5V 栅源电压下: 23mΩ
 - 10V 栅源电压下: 10mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**: 100A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块

**B298L-VB** 适用于以下领域和模块:

1. **高压开关电源**:
  - 在高压电源转换和调节中作为开关元件,提供低导通电阻以提高系统效率和稳定性。
2. **工业电源管理**:
  - 用于工业设备中的高压电源模块,处理高电流和高电压的开关需求。
3. **电动汽车 (EV)**:
  - 在电动汽车的电池管理和电机驱动系统中支持高电流操作,确保高效能和可靠性。
4. **功率转换器**:
  - 作为功率转换器中的开关元件,提供高耐压和低功耗,提升系统的整体性能。

这些应用场景展示了 B298L-VB 在处理中高电压和高电流的电子模块中的重要作用。

--- 数据手册 ---