典型应用
- 工业电机驱动
优势
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态电压变化率（dv/dt）额定值
- 175℃工作温度
- 快速开关
- 最高允许结温（Tjmax）内可重复承受雪崩击穿
这款 HEXFET® 功率 MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）的条形平面设计，采用了最新的加工技术，以实现每单位硅面积的极低导通电阻。该 HEXFET 功率 MOSFET 的其他特性包括 175℃的结温工作范围、快速的开关速度以及更高的重复雪崩击穿额定值。这些优势结合在一起，使该设计成为一种极为高效可靠的器件，适用于广泛的应用场景。
电气特性（除非另有说明，均在结温\(T_J\) = 25℃ 时测定）
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
|---|---|---|---|---|---|
\(V_{(BR)DSS}\) | 漏源击穿电压 | 75 | - | V | \(V_{GS}\) = 0V，\(I_D\) = 250μA |
\(\Delta V_{(BR)DSS}/\Delta T\) | 击穿电压温度系数 | 0.09 | - | V/℃ | 参考温度 25℃，\(I_D\) = 1mA |
\(R_{DS(on)}\) | 静态漏源导通电阻 | - | 0.0078 | Ω | \(V_{GS}\) = 10V，\(I_D\) = 78A |
\(V_{GS(th)}\) | 栅极阈值电压 | 2.0 | 4.0 | V | \(V_{DS}\) = 10V，\(I_D\) = 250μA |
\(g_{fs}\) | 正向跨导 | 74 | - | S | \(V_{DS}\) = 25V，\(I_D\) = 78A |
\(I_{DSS}\) | 漏源漏电流 | - | 20 | μA | \(V_{DS}\) = 75V，\(V_{GS}\) = 0V |
| 250 | \(V_{DS}\) = 60V，\(V_{GS}\) = 0V，\(T_J\) = 150℃ | ||||
\(I_{GSS}\) | 栅源正向漏电流 | - | 200 | nA | \(V_{GS}\) = 20V |
| 栅源反向漏电流 | - | 250 | \(V_{GS}\) = -20V | ||
\(Q_{g}\) | 总栅极电荷 | 160 | 200 | nC | \(I_D\) = 78A |
\(Q_{gs}\) | 栅源电荷 | 35 | 52 | \(V_{DS}\) = 60V | |
\(Q_{gd}\) | 栅漏（米勒）电荷 | 54 | 81 | \(V_{DS}\) = 10V | |
\(t_{d(on)}\) | 导通延迟时间 | 11 | - | ns | \(V_{DD}\) = 38V③，\(I_D\) = 78A⑥ |
\(t_r\) | 上升时间 | 150 | - | \(R_D\) = 2.5Ω | |
\(t_{d(off)}\) | 关断延迟时间 | 150 | - | \(V_{GS}\) = 10V③ | |
\(t_f\) | 下降时间 | 140 | - | ||
\(L_D\) | 内部漏感 | - | 4.5 | nH | 带轻载（6mm，0.25in.），从封装到芯片触点，源极接地 |
\(L_S\) | 内部源感 | - | 7.5 | ||
\(C_{iss}\) | 输入电容 | - | 5600 | pF | \(V_{DS}\) = 0V |
\(C_{oss}\) | 输出电容 | - | 890 | \(V_{DS}\) = 25V | |
\(C_{rss}\) | 反向传输电容 | - | 190 | f = 1.0KHz，见图 5 | |
\(C_{oss}\) | 输出电容 | - | 5800 | \(V_{GS}\) = 0V，\(V_{DS}\) = 1.0V，f = 1.0KHz | |
\(C_{oss eff.}\) | 有效输出电容 | 560 | - | \(V_{GS}\) = 0V，\(V_{DS}\) = 60V | |
| 1100 | \(V_{GS}\) = 0V，\(V_{DS}\) = 0V 到 60V |
源漏额定值和特性
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
|---|---|---|---|---|---|
\(I_S\) | 连续源极电流 | - | 130⑥ | A | MOSFET 符号表示，含内置反向二极管的整体电流，n 沟道结 |
\(I_{SM}\) | 脉冲源极电流 | - | 520 | ||
\(V_{SD}\) | （体二极管）二极管正向电压 | - | 1.3 | V | \(T_J\) = 25℃，\(I_S\) = 78A，\(V_{GS}\) = 0V④ |
\(t_{rr}\) | 反向恢复时间 | 110 | 170 | ns | \(dI/dt\) = 100A/μs④ |
\(Q_{rr}\) | 反向恢复电荷 | 390 | 590 | nC | |
\(t_{on}\) | 正向导通时间 | - | - | 本征导通时间可忽略（导通主要由\(L_S\) |
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