特性
- 64 千比特铁电随机存取存储器（F - RAM），逻辑上组织为 8K×8
- 高达 100 万亿次（\(10^{14}\)）读 / 写耐久性
- 151 年的数据保存期限（详见 “数据保存期限和耐久性表”）
- NoDelay™ 写入技术
- 先进的高可靠性铁电工艺
- 非常快速的串行外设接口（SPI）
- 最高 20 兆赫兹频率
- 可直接硬件替换串行闪存和电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）
- 支持 SPI 模式 0（0, 0）和模式 3（1, 1）
- 复杂的写保护方案
- 通过写保护（\(\overline{WP}\)）引脚进行硬件保护
- 使用写禁止指令进行软件保护
- 可对 1/4、1/2 或整个阵列进行软件块保护
- 低功耗
- 1 兆赫兹时，工作电流为 200 微安
- 典型待机电流为 3 微安
- 低电压工作：电源电压\(V_{DD}\)为 2.7V 至 3.65V
- 工业温度范围：-40°C 至 + 85°C
- 封装形式
- 8 引脚小外形集成电路（SOIC）封装
- 8 引脚薄型无引脚双列扁平（DFN）封装
功能描述
FM25CL64B 是一款 64 千比特的非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F - RAM）属于非易失性存储器，其读写操作类似于随机存取存储器（RAM）。它可实现长达 151 年的数据可靠保存，同时避免了串行闪存、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）以及其他非易失性存储器所带来的复杂性、额外开销和系统级可靠性问题。
与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25CL64B 以总线速度执行写入操作，不会产生写入延迟。每字节数据成功传输后，会立即写入存储阵列。下一个总线周期可直接开始，无需进行数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有极高的写入耐久性，能够支持\(10^{14}\)次读 / 写周期，写入周期数是 EEPROM 的 1 亿倍。
这些特性使 FM25CL64B 非常适合用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用场景。比如数据采集，写入周期数量可能至关重要；还有要求严苛的工业控制领域，串行闪存或 EEPROM 较长的写入时间可能会导致数据丢失 。
FM25CL64B 为用户提供了显著优于串行 EEPROM 的优势，可直接进行硬件替换。该产品使用高速 SPI 总线，增强了 F - RAM 技术的高速写入能力。其工作规格适用于 - 40°C 至 + 85°C 的工业温度范围。