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深圳市芯楠科技有限公司

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--- 产品详情 ---

1。产品概述

1.1.Feature概述

•超低电压核心和I/O电源

-VDD1 = 1.70-1.95V; 1.80V名义

-VDD2 = 1.06-1.17V; 1.10V名义

-VDDQ = 0.57-0.65V; 0.60V标称或VDDQ = 1.06-1.17V; 1.10V名义

•频率范围

-1866-10 MHz(PIN速率范围:3733-20Mbp/s)

•16N预取DDR架构

•每条渠道8个内部银行以进行同时操作

•单数据速率CMD / ADR条目

•双向 /差分数据闪光灯频道

•可编程读写延迟(RL / WL)

•可编程和直接爆发长度(BL = 16,32)

•指导每银行刷新进行同时运营

和命令计划的易

•每天X16通道最多8.53 GB / s

•芯片温度传感器以控制自我刷新速率

•部分阵列自我刷新(PASR)

•可选的输出驱动强度(DS)

•时钟停止功能

•符合ROHS的“绿色”包装

•VDD1/VDD2/VDDQ:1.80V/1.10V/0.60V或1.10V

•数组配置

-384meg x 32(2个频道x 16 i/o)

-384M16 x 2在包装中死亡

•FBGA“绿色”包

-200球FBGA(10mm x15mm x0.95mm)

-200球fbga(10mm x15mm x1.02mm)

•速度等级,周期时间

-535ps@ rl = 32/36

•工作温度范围

-25°C至 + 85°C

 

--- 数据手册 ---