国硅集成NSG2000 250V、快速、高压侧NMOS静态开关常导通栅极驱动芯片
一、概述
NSG2000是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。NSG2000采用 SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、特性
宽工作范围VIN：最高250V
针对快速导通和关闭通道，具有150ns传输延迟
内置高压侧充电电路，可实现100%占空比
可调导通占空比
栅极驱动器电源电压为4.5V至20V
VIN过压闭锁
驱动器电源VCC欠压闭锁
--欠压锁定正向阈值4.2V
--欠压锁定负向阈值4V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
TS负压耐受能力达-9V
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA
符合RoSH标准
SOIC8(S)
三、应用
高边开关控制器
静态开关驱动器
负载和电源开关驱动器
电子阀驱动器
高频高压侧栅极驱动器
光伏关断器
四、器件信息
五、简化示意图
