国硅集成NSG2153D 600V自振荡半桥MOSFET/IGBT电机驱动芯片
一、概述
NSG2153D是一款高压、高速功率MOSFET自振荡半桥驱动芯片。NSG2153D其浮动通道可用于驱动高低侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG2153D内置 1.1μs死区电路，可以有效防止高低侧功率管直通。NSG2153D内置自举电路，可以简化芯片外围电路。NSG2153D采用SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、产品特性
最高工作电压为+600V
CT，RT可编程振荡器
微功率启动
CT引脚上的非锁定关断特性（1/6th VCC）
VCC钳位电压为15.6V
集成VCC欠压锁定电路
--正/负欠压阈值：11V/9V
集成VBS欠压锁定电路
--正/负欠压阈值：9V/8V
死区时间DT=1.1μs
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
集成自举
宽温度范围-40°C~125°C
符合RoSH标准
SOP8封装
三、应用
电源管理
电子照明
逆变器
电机驱动
四、封装信息
五、简化示意图
