简介
今天我要向大家介绍的是 TTElectronics/Semelab 的DMOS RF FET晶体管——D1001UK。这是一款专为HF/VHF/UHF通信频段（1 MHz至175 MHz）设计的金金属化多用途硅RF功率场效应管，采用单端架构，在28V工作电压下可提供20W的输出功率。作为一款高性能射频器件，它具备极低的反向传输电容和低噪声特性，极大简化了放大器设计；其简单的偏置电路与优异的宽带适用性，确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行；支持50:1的负载失配容忍度，是高频通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。
主要特性
类型：金金属化多用途硅DMOS RF FET（单端）
工作条件：VDS = 28V，IDQ = 0.1A，f = 175MHz
功率增益：16 dB 最小值（典型应用下）
漏极效率：50%（典型值）
灵敏度/容差：负载失配容忍度 20:1 VSWR
反向传输电容：极低
漏源击穿电压：70V
热阻：结到外壳最大 3.5°C/W
工作温度：-65°C 至 150°C
封装特性：RoHS合规
应用
HF/VHF/UHF通信系统（1 MHz至175 MHz）
宽带射频放大器应用
简化设计的射频功率放大模块
工业及要求高增益、高效率的射频发射设备
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