概述
PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。
特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V
应用
蓄电池保护
负荷开关
不间断电源
PL60N02D TO-252-3 60A20VN通道增强模式MOSFET 百盛电子代理商
型号:
PL60N02D
品牌:
PULAN(普蓝)