United Monolithic Semiconductors 的 CHA8054-99F 是一款 2 级 X 波段功率放大器，工作频率为 7.7 至 8.6 GHz。它提供高达 23 W 的输出功率，具有 27 dB 的线性增益和 50% 的功率附加效率 (PAE)。该电路采用 GaN HEMT 工艺制造，栅极长度为 0.25μm，通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。它以芯片（也可作为裸片）的形式提供，尺寸为 5.14 x 4.22 x 0.1 mm，适用于从太空、军事到商业通信系统的广泛应用。
CHA8054-99F，最先进的空间兼容 GaN HPA
CHA8054-99F 是一款新型 GaN X 波段高功率放大器，工作频率在 7.7 至 8.6GHz 之间。
该电路针对空间应用进行了优化，旨在获得 50% 的出色 PAE 和 23W @28V 漏极电源电压的典型高饱和输出功率。它具有典型的 27dB 线性增益。
CHA8054-99F 是在 UMS 空间评估的 0.25µm GaN 专有技术上实现的。
主要特点：
- 频率范围：7.7-8.6GHz
- 高输出功率：23W
- 高 PAE：50%
- 线性增益：27dB
- 直流偏置：Vd=28Volt @Idq=0.9A
- 芯片尺寸 5.14x4.22x0.1mm
- 提供裸片
产品规格
产品详情
零件号
CHA8054-99F
制造商
联合单片半导体
描述
7.7 至 8.6 GHz 的 23 W X 波段功率放大器
一般参数
类型
功率放大器
配置
IC/MMIC/SMT, 模具
行业应用
太空、军事、商业
频率
7.7 至 8.6 GHz
获得
27分贝
输出功率
43.01 至 43.62 dBm
输出功率
20 至 23 瓦
输入功率
24分贝
输入功率
0.25 瓦
PAE
50 %
脉冲/CW
CW/脉冲
子类别
氮化镓放大器
输入回波损耗
12分贝
输出回波损耗
10分贝
电源电压
28 伏
目前的消费
2个
晶体管技术
氮化镓 HEMT
包装类型
表面贴装
方面
5.15 x 4.22 x 0.1 毫米
工作温度
-40 至 100 摄氏度
贮存温度
-55 至 150 摄氏度
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