United Monolithic Semiconductors 的 CHA7618-99F 是一款工作频率为 5.5 至 18 GHz 的功率放大器。它提供 10 W 的输出功率和 30 dB 的线性增益,并具有 20% 的功率附加效率。该放大器基于 UMS 专有的 0.15 µm GaN HEMT 技术。它需要 18 V 的直流电源并消耗 0.53 A 的电流。该放大器采用表面贴装封装,尺寸为 5.80 x 3.48 x 0.07 mm,适用于电子战、信号干扰器、测试和仪器仪表以及微波系统(雷达和通信)应用。
一种新型 10W 宽带 GaN HPA
CHA7618-99F 覆盖 5.5 至 18GHz,具有 30dBm 的高增益性能
这款高功率放大器具有 20% 的功率附加效率和 30dB 的小信号增益。
该电路专用于众多应用,例如国防:电子战、干扰器、测试和仪器仪表以及微波应用和系统(雷达和通信)。
它采用 0.15µm GaN HEMT UMS 专有技术设计。
链接到产品信息
主要特点:
- 频率范围:5.5-18GHz
- 线性增益:30dB
- 输出功率(引脚20dBm):40dBm
- PAE(引脚 20dBm):20%
- 回波损耗:输入 RL >10dB
输出 RL >7dB - 直流偏置:18V@0.53A
- 芯片尺寸:5.8mmx3.48mmx0.07mm
产品规格
产品详情
零件号
CHA7618-99F
制造商
联合单片半导体
描述
5.5 至 18 GHz 的 10 W GaN 功率放大器
一般参数
类型
功率放大器
配置
IC/MMIC/SMT
行业应用
航空航天与国防、干扰、测试与测量、雷达
频率
5.5 至 18 GHz
获得
30分贝
输出功率
40分贝
输出功率
10 瓦
年级
商业的
输入功率
20分贝
输入功率
0.1 瓦
输入回波损耗
10分贝
输出回波损耗
7分贝
电源电压
18 伏
目前的消费
0.53 安
技术
氮化镓 HEMT
方面
5.8mmx3.48mmx0.07mm
CHA4253a98F
CHA8352-99F
CHA7618-99F
CHA3024-FDB
CHA4350-QDG
CHA2362-98F
CHA3409-98F
CHA7060-QWA
CHA8611-99F
CHA2595-QDG
CHA8054-99F
CHA6710-FAB
CHA6653-98F
CHZ8012-QJA
CHA6710-99F
CHA4861-QGG
CHA3080-98F
CHA3090-98F
CHA4102-QEG
CHA6194-QXG
CHA3398-QDG
CHA3395-QDG
CHA4253aQQG
CHA3397-QDG
CHA5050-99F
CHA6652-QXG
CHA3396-QDG
CHA3660-QQG
CHA6653-QXG
CHA6550-QXG
CHA5350-99F
CHA4250-QDG
CHA5266-QDG
CHA5250-QDG
CHA3565-QAG
CHA5266-FAA
CHA5266-99F
CHA1008-99F
CHA2080-98F
CHA2069-FAA
CHA2441-QAG
CHA2110-98F
CHA2110-QDG
CHA1010-99F