CHA8352-99F 用于 Ku 下行卫星通信的平衡 GaN HPA。
CHA8352-99F 是一款 20W 输出功率 GaN 高功率放大器。
该电路在 10.7-12.75GHz 频段具有超过 42% 的出色 PAE。
它具有 25dB 的线性增益，在 20V 时具有 0.5A 的低功耗和显着的回波损耗。
CHA8352-99F非常适合空间应用，还涵盖了广泛的微波应用和系统。
该电路采用 UMS 专有的 0.15µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺设计。它以裸片形式提供。
主要特点：
- 频率范围：10.7-12.75GHz
- 线性增益：25dB
- Pout : 43dBm Pout @ 23dBm Pin
- PAE：所有频率 >42%
- RL：>17dB
- 直流偏置：0.5A @ 20V
- 芯片尺寸：5.3 x 3.5 x 0.07mm
United Monolithic Semiconductor 的 CHA8352-99F 是一款工作频率为 10.7 至 12.75 GHz 的功率放大器。它的输出功率为 20 W，线性增益为 25 dB，PAE 超过 42%。该放大器采用专有的 UMS 0.15µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺设计。它需要 20 V 的直流电源并消耗 0.5 A 的电流。该放大器以裸片形式提供，尺寸为 5.30 x 3.50 x 0.07 mm，适用于 SATCOM 和太空应用。
产品规格
产品详情
零件号
CHA8352-99F
制造商
联合单片半导体
描述
10.7 至 12.75 GHz 的 20 W GaN 功率放大器
一般参数
类型
功率放大器
配置
IC/MMIC/SMT
支持的标准
古乐队
行业应用
卫星通信
频率
10.7 至 12.75 GHz
获得
25分贝
输出功率
43分贝
输出功率
20 瓦
年级
商业、太空
PAE
42 %
子类别
氮化镓放大器
回波损耗
17分贝
电源电压
20 伏
目前的消费
0.5A
晶体管技术
氮化镓 HEMT
包装类型
表面贴装
方面
5.3 x 3.5 x 0.07 毫米
CHA4220-QGG
CHA3024-QGG
CHA3024-99F
CHA5659-QXG
CHA3666-FAA
CHA4220-98F
CHA6356-QXG
CHA6252-QFG
CHA6558-99F
CHA5356-QGG
CHA6005-99F
CHA6005-QEG
CHA6362-QXG
CHA6552-QJG
CHA8012-99F
CHA3513-99F
CHA6250-QFG
CHA3514-99F
CHA3512-99F
CHA3511-99F
CHA6015-99F
CHA5012-99F
CHA3092-99F
CHA3218-99F
CHA7012-99F
CHA2494-98F
CHA2395-99F
CHA2494-QEG
CHA1077a98F
CHA2391-99F
CHA2411-QDG
CHA4105-QDG
CHA2095a99F
CHA5014-99F
CHA3689-99F
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CHA3664-QAG
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