类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@1mA N沟道,60V,0.5A,5Ω@10V
N沟道 60V 500mA 场效应管(MOSFET)
型号:
MMBF170LT1G
品牌:
ON(安森美)