Qorvo 的 TGF2979-SM 是一种 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为直流至 12 GHz。它提供 22 瓦的输出功率和 11 dB 的线性增益，在 9.4 GHz 时的功率附加效率为 45%。该器件采用 TQGaN25 工艺开发，采用先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。这种优化可以通过更少的放大器阵容和更低的热管理成本来潜在地降低系统成本。它采用行业标准的 3 x 4 mm 表面贴装 QFN 封装，非常适合军用和商业雷达应用。
产品规格
产品详情
零件号 TGF2979-SM
制造商 科尔沃
描述 22 W GaN 晶体管，从 DC 到 12 GHz
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业 航空航天与国防
应用 军事、商业、航空电子
连续波/脉冲 脉冲，连续波
频率 直流至 12 GHz
力量 43.98 分贝
功率(W) 25 瓦
饱和功率 43.4 分贝
脉冲宽度 100 我们
占空比 0.1
获得 11分贝
电源电压 32 伏
电压 - 栅源 (Vgs) -2.7 伏
静态漏极电流 150毫安
包装类型 表面贴装
包裹 4 x 3 毫米
RoHS 是的
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