| Number of channels (#) | 2 |
| Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) | 36 |
| Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) | 4 |
| Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) | 1 |
| GBW (Typ) (MHz) | 32 |
| Features | Burr-Brown? Audio, High Cload Drive, Premium Sound, Shutdown, Small Size |
| Slew rate (Typ) (V/us) | 10 |
| Rail-to-rail | No |
| Offset drift (Typ) (uV/C) | 0.5 |
| Iq per channel (Typ) (mA) | 2.6 |
| Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) | 2.8 |
| CMRR (Typ) (dB) | 127 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Input bias current (Max) (pA) | 2000000 |
| Output current (Typ) (mA) | 145 |
| Architecture | Bipolar |
| THD + N @ 1 kHz (Typ) (%) | 0.000025 |
- 匹配精度为 0.004%（典型值）的高质量
薄膜电阻器 - 集成 EMI 滤波器
- 超低噪声：1kHz 时为 2.8nV/√Hz
- 超低总谐波失真 + 噪声：
–119dB THD+N（以 142mW/通道的功率驱动 32Ω/通道的负载） - 宽增益带宽产品：
32MHz (G = +1000) - 高压摆率：10V/μs
- 高容性负载驱动能力：> 600pF
- 高开环增益：136dB（600Ω 负载）
- 低静态电流：每通道 2.6mA
- 具有更低的“噗噗”和“咔嗒”噪声的低功耗关断模式：每通道 5μA
- 短路保护
- 宽电源电压范围：±2V 至 ±18V
- 采用小型 24 引脚 WQFN 封装
INA1620 将 4 个高精度匹配薄膜电阻器对和片上 EMI 滤波与一个低失真、高输出电流、双路音频运算放大器集成在一起。该放大器在 1kHz 频率下具有
2.8nV/√Hz 的极低噪声密度和 –119.2dB 的超低 THD+N，能够以 150mW 的输出功率驱动一个 32Ω 的负载。集成式薄膜电阻器的匹配精度在 0.004% 以内，可用于创建大量具有极高性能的音频电路。
INA1620 具有 ±2V 至 ±18V 的极宽电源电压范围，每通道电源电流仅为 2.6mA。INA1620 还具有关断模式，允许放大器从正常运行状态切换至待机状态（待机电流通常小于 5μA）。关断模式经专门设计，可消除进入或退出关断模式时产生的“咔嗒”和“噗噗”噪声。
INA1620 具有独特的内部布局，可将串扰降到最低，即使在过驱动或过载时也不受通道间相互作用的影响。此器件的额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。