| Function | Memory interface |
| Output frequency (Max) (MHz) | 1200 |
| Number of outputs | 68 |
| Output supply voltage (V) | 1.2 |
| Core supply voltage (V) | 1.2 |
| Features | DDR2 register |
| Operating temperature range (C) | -40 to 95 |
| Rating | Catalog |
| Output type | CMOS |
| Input type | CMOS |
- 符合 DDR4RCD01 JEDEC 标准
- DDR4 带寄存器的双列直插内存模块 (RDIMM) 和低负载双列直插内存模块 (LRDIMM) 高达 DDR4-2400
- 32 位 1 至 2 寄存器输出
- 1 至 4 差分时钟缓冲器
- 1.2V 运行
- 具有内部反馈的锁相环 (PLL)
- 可配置驱动器强度
- 可扩展弱驱动器
- 可编程延迟
- 输出驱动器校准
- 地址映射和倒置
- DDR4 完全奇偶校验运行
- 片载可编程 VREF 生成
- CA 总线协商模式
- I2C 接口支持
- 多达 16 个用于支持三维堆叠 (3DS) RDIMM 和 LRDIMM 的逻辑模组
- 多达 4 个用于支持 RDIMM 和 LRDIMM 的物理模组
All trademarks are the property of their respective owners.
CAB4 是一款 32 位 1:2 命令/地址/控制缓冲器和 1:4 差分时钟缓冲器，它被设计用于以 1.2V VDD 模式在 DDR4 带寄存器的 DIMM 上的运行。
所有输入是使用外部或内部电压基准的伪差分输入。 所有输出是满摆幅 CMOS 驱动器，此驱动器针对驱动 DDR4 RDIMM，LRDIMM 和 3D 堆叠 DIMM 应用中的 15Ω 至 50Ω 有效端接迹线而进行了优化。 时钟输出、命令/地址输出、控制输出、数据缓冲控制输出可成组启用，并且可采用单独的驱动强度，以补偿不同的 DIMM 网状拓扑结构。 DDR4 寄存器以不同的时钟频率运行（CK_t 和 CK_c）。 输入在 CK_t 变为高电平和 CK_c 变为低电平交叉点时被记录。 如果输入信号 DSC[n:0]_n 中的一个被驱动为低电平，输入信号可被重新驱动至输出，或者它可在满足特定输入条件时被用来访问器件内部控制寄存器。
此器件的特点是可在 -40°C 至 95°C 的温度范围内运行。