| Sample rate (Max) (MSPS) | 250 |
| Resolution (Bits) | 14 |
| Number of input channels | 2 |
| Interface type | DDR LVDS, Parallel CMOS |
| Analog input BW (MHz) | 600 |
| Features | Low Power |
| Rating | Catalog |
| Input range (Vp-p) | 2 |
| Power consumption (Typ) (mW) | 470 |
| Architecture | Pipeline |
| SNR (dB) | 72.8 |
| ENOB (Bits) | 11.45 |
| SFDR (dB) | 82 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 85 |
| Input buffer | No |
- 最大采样率：250MSPS
- 1.8V 单电源供电，具有超低功耗：
- 250MSPS 时的总功耗为 560mW
- 高动态性能：
- 170MHz 时的无杂散动态范围 (SFDR) 为 80dBc
- 170MHz 时的信噪比 (SNR) 为 71.7dBFS
- 串扰：185MHz 时大于 90dB
- 可编程增益最高达 6dB，可权衡
SNR/SFDR 性能 - DC 偏移校正
- 输出接口选项：
- 1.8V 并行 CMOS 接口
- 支持可编程摆幅的双倍数据速率 (DDR) 低压动态信令 (LVDS)：
- 标准摆幅：350mV
- 低摆幅：200mV
- 支持低输入时钟振幅
低至 200mVPP - 封装： 64 引脚 9mm × 9mm 超薄型四方扁平无引线 (VQFN) 封装
应用
- 无线通信基础设施
- 软件定义的无线电
- 功率放大器线性化
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ADS4249 属于 ADS42xx 双通道、12 位和 14 位模数转换器 (ADC) 超低功耗系列产品。该器件凭借创新设计技术实现了高动态性能，并且采用 1.8V 电源供电运行，功耗极低。该拓扑使 ADS4249 非常适合多载波、高带宽通信 应用。
ADS4249 具有增益选项，可用于提升在较小满量程输入范围内的 SFDR 性能。这个器件还包括一个 DC 偏移校正环路，可用于消除 ADC 偏移。DDR LVDS 与并行 CMOS 数字输出接口都采用紧凑型 VQFN-64 封装。 PowerPAD封装。
此器件包含内部基准，并消除了传统基准引脚与相关去耦电容。ADS4249 的额定工业温度范围为 -40°C 至 85°C。