| Sample rate (Max) (MSPS) | 100 |
| Resolution (Bits) | 14, 16, 18 |
| Number of input channels | 4 |
| Interface type | Parallel LVDS |
| Analog input BW (MHz) | 70 |
| Features | High Performance |
| Rating | Catalog |
| Input range (Vp-p) | 4 |
| Power consumption (Typ) (mW) | 1350 |
| Architecture | Pipeline |
| SNR (dB) | 85.5 |
| ENOB (Bits) | 12.8 |
| SFDR (dB) | 81 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 85 |
| Input buffer | No |
- 最大采样率：100MSPS
- 可编程器件分辨率
- 四通道，16 位，高 SNR 模式
- 四通道，14 位，低功耗模式
- 16 位高 SNR 模式
- 100MSPS 时总体功耗为 1.4W
- 每通道 355mW
- 4 Vpp 满量程输入
- f输入= 3MHz，100MSPS 时，85dBFS SNR
- 100MSPS 时总体功耗为 1.4W
- 14 位低功耗模式
- 100MSPS 下总体功耗 785mW
- 每通道 195mW
- 2 Vpp 满量程输入
- f输入= 10MHz，74dBFS SNR
- 集成钳位（用于与电荷耦合元件 (CCD) 传感器对接）
- 100MSPS 下总体功耗 785mW
- 低频噪声抑制
- 数字处理块
- 可编程 FIR 抽取滤波器
- 可编程数字增益：0dB 至 12dB
- 平均 2 或 4 通道
- ADC 输入通道与低压差分信令 (LVDS) 输出引脚间的可编程映射 - 简化了电路板设计
- 多种测试模式以验证现场可编程栅极阵列 (FPGA) /接收器的数据捕捉
- 已串化 LVDS 输出
- 内部和外部基准
- 3.3V 模拟电源
- 1.8V 数字电源
- 在 1 个时钟周期内从 6dB 过载内恢复
- 封装：
- 9mm × 9mm 64 引脚四方扁平无引线 (QFN)
- 针对磁共振成像 (MRI) 系统的非磁性封装选项
- CMOS 技术
应用
- 医疗成像 - MRI
- 光谱分析
- CCD 成像
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通过使用 CMOS 工艺技术和创新型电路技术，ADS5263 被设计用来在低功耗下运行，并且在 4 Vpp 满量程输入时提供极高的 SNR 性能。通过使用一个低噪声 16 位模拟前端级，之后是一个 14 位 ADC，此器件提供高达 10MHz 的 85dBFS SNR，以及高达 30MHz，优于 80dBFS 的 SNR。
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ADS5263 具有 14 位低功耗模式，其在此模式下作为一个四通道 14 位 ADC 运行。16 位前端级被断电，与 16 位模式相比，此部件的能耗大约为一半。14 位模式支持一个 2 Vpp 满量程输入信号，此时 SNR 典型值为 74dBFS。ADS5263 可在两个分辨率模式间自动切换。这使得系统能够使用高分辨率、高功耗模式或者一个低分辨率、低功耗模式中的同一部件。
该器件还配有一个数字处理模块，其中集成数字增益（最高可达 12dB）等多种常用数字功能。它包括一个数字滤波器模块，此模块具有内置的抽取滤波器（具有低通、高通和带通特点）。此抽取率也是可编程的（2 倍，4 倍或 8 倍）。这使得该器件非常适用于窄带 应用，因为滤波器可为此类应用提高 SNR 并滤除谐波，同时降低输出数据速率。
此器件包括一个平均模式，在此模式中，可将两个通道（或四个通道）平均来改进 SNR。一个非常独特的特性是可以实现输入通道和 LVDS 输出引脚间灵活映射的可编程映射器模块。这有助于大大减少 LVDS 输出路径选择的复杂程度，并且有可能通过减少印刷电路板 (PCB) 的层数来获得更加廉价的系统电路板。该器件在 -40°C 至 85°C 的工业级温度范围内运行。