| Number of channels (#) | 1 |
| IO capacitance (Typ) (pF) | 12 |
| Vrwm (V) | 5.5 |
| IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) | 30 |
| IEC 61000-4-5 (A) | 6 |
| Bi-/uni-directional | Bi-Directional |
| Dynamic resistance (Typ) (?) | 0.4 |
| Clamping voltage (V) | 10 |
| IO leakage current (Max) (nA) | 100 |
| Rating | Automotive |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 符合 AEC-Q101 标准
- IEC 61000-4-2 级 4 ESD 保护
- ±30kV 接触放电
- ±30kV 气隙放电
- ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保护
- ±8kV 接触放电 (DPY)
- ±15kV 气隙放电 (DPY)
- ±25kV 接触放电 (DYA)
- ±25kV 气隙放电 (DYA)
- IEC 61000-4-5 浪涌保护
- 6A (8μs/20μs)
- I/O 电容 12pF（典型值）
- RDYN：0.38Ω（典型值）
- 直流击穿电压：±6V（最小值）
- 超低泄漏电流 100nA（最大值）
- 10V 钳位电压（IPP = 1A 时的典型值）
- 工业温度范围：–40°C 至 +125°C
- 节省空间的 0402 外形尺寸
- 业界通用引线式 SOD-523 封装 (1.6mm × 0.8mm × 0.65mm)
TPD1E10B06-Q1 器件是一款双向 TVS ESD 保护二极管，提供适合空间受限应用的小型 0402 封装，以及业界通用的引线式 SOD-523 封装，以支持自动光学检测 (AOI)。TPD1E10B06-Q1 的额定 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 4 级国际标准规定的最高水平，原因是其 ESD 电压可轻松升至 5000V，超出足以损坏众多集成电路的电压值，但在极端条件下，这些电压将显著升高。例如，在湿度较低的环境下，电压可超过 20000V。
低动态电阻和低钳位电压可确保提供系统级瞬变事件保护，从而为暴露于 ESD 事件下的设计提供充分保护。该器件还具有 12pF IO 电容，因此非常适用于音频线路、按钮、存储器接口或 GPIO。
该器件还具有未经过汽车认证的型号：TPD1E10B06。