| Number of channels (#) | 1 |
| IO capacitance (Typ) (pF) | 10 |
| Vrwm (V) | 9 |
| IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) | 20 |
| IEC 61000-4-5 (A) | 4.5 |
| Bi-/uni-directional | Bi-Directional |
| Dynamic resistance (Typ) (?) | 0.5 |
| Clamping voltage (V) | 13 |
| IO leakage current (Max) (nA) | 100 |
| Rating | Automotive |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 符合 AEC-Q101
- IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
- ±20kV 接触放电
- ±20kV 气隙放电
- ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保护
- ±8kV 接触放电
- ±15kV 气隙放电
- IEC 61000-4-5 浪涌保护
- 4.5A (8/20μs)
- I/O 电容：10pF（典型值）
- RDYN：0.5Ω（典型值）
- 直流击穿电压：±9.5V（最小值）
- 超低泄漏电流：100nA（最大值）
- 钳位电压：13V（IPP = 1A 时的典型值）
- 工业温度范围：-40°C 至 +125°C
- 节省空间的 0402 封装
应用
- 终端设备：
- 音响主机
- 高级音频设备
- 外部放大器
- 车身控制模块
- 网关
- 车载信息服务系统
- 摄像机模块
- 接口：
- 音频线路
- 按钮
- 存储器接口
- 通用输入/输出 (GPIO)
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TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 工业标准封装的双向静电放电 (ESD) 瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。该 TVS 保护二极管便于将元件安装到空间受限的 应用中 ，并 具有 较低的 RDYN 和较高的 IEC 额定值。TPD1E10B09-Q1 的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC 61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平，可以提供 ±20kV 接触放电和 ±20kV IEC 气隙保护。ESD 电压可轻松达到 5kV，并且在极端条件下，这些电压能够显著升高，从而对许多集成电路造成损坏。例如，在湿度较低的环境下，电压可超过 20kV。
低动态电阻 (0.5Ω) 和低钳位电压（1A IPP 时为 13V）可确保提供系统级瞬变事件保护，从而为暴露于 ESD 事件下的设计提供强有力的保护。该器件还 具有 一个 10pF IO 电容，因此非常适用于音频线路、按钮、存储器接口或 GPIO。
该器件还具有一款非汽车类应用型号：TPD1E10B09。