Number of channels (#) | 2 |
IO capacitance (Typ) (pF) | 1.5 |
Vrwm (V) | 5.5 |
IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) | 25 |
IEC 61000-4-5 (A) | 5.5 |
Bi-/uni-directional | Uni-Directional |
Dynamic resistance (Typ) (?) | 0.6 |
Clamping voltage (V) | 9.7 |
IO leakage current (Max) (nA) | 10 |
Rating | Automotive |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 符合 AEC-Q101 标准
- IEC 61000-4-2 级 4 ESD 保护
- ±25kV(接触放电)
- ±30kV(气隙放电)
- ISO 10605(330pF,330Ω)ESD 保护
- ±20kV(接触放电)
- ±25kV(气隙放电)
- IO 电容 1.5pF(典型值)
- 直流击穿电压为 6.5V(最小值)
- 超低漏电流 10nA(最大值)
- 低 ESD 钳位电压
- 工业温度范围:–40°C 至 +125°C
- 易于布线的小型 DBZ 和 DCK 封装
TPD2E2U06-Q1 是瞬态电压抑制器 (TVS) 静电放电保护二极管阵列,具有低电容。该双通道 ESD 保护二极管的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高水平。TPD2E2U06-Q1 具有 1.5pF 线路电容,非常适合用于保护 USB 2.0、以太网、LVDS、天线和 I2C 等接口。