Number of full bridges | 2 |
Vs (Min) (V) | 4.5 |
Vs ABS (Max) (V) | 70 |
Peak output current (A) | 10 |
RDS(ON) (HS + LS) (mOhms) | 100 |
Sleep current (uA) | 2 |
Control mode | Independent 1/2-Bridge, PWM |
Control interface | Hardware (GPIO) |
Features | Current Regulation, Current Sense Amplifier, Independent 1/2 Bridge, Integrated Current Sensing |
Rating | Catalog |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 四通道半桥驱动器
- 独立控制每个半桥
- 4.5V 至 65V 工作电源电压范围
- 低 RDS(ON):每个 FET 50mΩ(24V,25°C)
- 高电流容量:
- DDW 封装:高达 5A/每输出
- DDV 封装:高达 10A/每输出
-
可驱动各种类型的负载 -
-
高达四个电磁阀负载
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一个步进电机
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两个有刷直流电机
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一个或两个热电冷却器 (TEC)
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一个三相无刷直流电机
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一个三相永磁同步电机 (PMSM)
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- 集成式电流检测和调节
- 高侧 MOSFET 上的电流检测
- 每个半桥的感应输出 (IPROPI)
- 最大电流下的检测精度 ± 4%
-
可选外部检测电阻
-
与以下器件引脚对引脚兼容:
-
DRV8952:48V 四通道半桥驱动器
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- 单独的逻辑电源电压 (VCC)
-
可编程输出下降/上升时间
-
可编程故障恢复方法
- 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
- 低电流睡眠模式 (3μA)
- 保护特性
- VM 欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- 过流保护 (OCP)
- 热关断 (OTSD)
- 故障状态输出 (nFAULT)
DRV8962 是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器,适用于各种工业应用。该器件支持高达 65V 的电源电压;具有 50mΩ 导通电阻的集成式 MOSFET 允许 DDW 封装的每输出产生高达 5A 的电流,允许 DDV 封装的每输出产生高达 10A 的电流。
该器件可用于驱动最多四个螺线管负载、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个 BLDC 或 PMSM 电机以及最多两个热电冷却器(珀耳帖元件)。器件的输出级包括配置为四个独立半桥的 N 沟道功率 MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节电路、电流检测输出以及保护电路。
高侧 MOSFET 上的集成电流检测功能可让器件在负载从输出端接地时调节电流。利用可调外部电压基准 (VREF),可设置调节电流限值。此外,该器件还提供四个比例电流输出引脚,每个引脚对应一个半桥高侧 FET。可选的外部检测电阻也可从 PGND 引脚连接到系统地。
该器件提供一种低功耗睡眠模式,可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括:电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV) 保护、输出过流 (OCP) 保护和器件过热 (OTSD) 保护。