| Number of full bridges | 1 |
| Vs (Min) (V) | 5 |
| Vs ABS (Max) (V) | 115 |
| Control mode | Independent 1/2-Bridge |
| Control interface | Hardware (GPIO) |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 100V H 桥栅极驱动器
- 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
- 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
- MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
- 集成自举二极管
- 支持反相和同相 INLx 输入（QFN 封装）
- 自举栅极驱动架构
- 750mA 拉电流
- 1.5A 灌电流
- 支持由高达 15 节串联电池供电的应用
- SHx 引脚具有低漏电流（小于 55μA）
- 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
- SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
-
针对 QFN 封装，可通过 DT 引脚调节死区时间
- 针对 TSSOP 封装，固定插入 200ns 死区时间
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
- 4ns 典型传播延迟匹配
- 紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装和尺寸
- 具有电源块的高效系统设计
- 集成保护特性
- BST 欠压锁定 (BSTUV)
- GVDD 欠压 (GVDDUV)
DRV8770 器件具有两个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。在 GVDD 驱动低侧 MOSFET 栅极的同时，集成式自举二极管和外部电容器可为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此栅极驱动架构支持高达 750mA 的栅极驱动拉电流和 1.5A 的栅极驱动灌电流。
栅极驱动引脚的高电压容差提高了系统鲁棒性。SHx 相位引脚能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源的 BSTx 和 GHx 引脚可承受更高的正电压瞬变（绝对最大值为 115V）。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。