Number of full bridges | 1 |
Vs (Min) (V) | 4.5 |
Vs ABS (Max) (V) | 40 |
Peak output current (A) | 10 |
RDS(ON) (HS + LS) (mOhms) | 150 |
Sleep current (uA) | 15 |
Control mode | Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM |
Control interface | Hardware (GPIO), SPI |
Features | Current Sense Amplifier, Integrated Current Sensing, Open-Load Detection |
Rating | Automotive |
TI functional safety category | Functional Safety-Capable |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
- H 桥电机驱动器
- 驱动一个直流电机、一个步进电机绕组或电磁阀负载
- 4.5V 至 38V 工作电压范围
- 10A 峰值电流驱动能力
- 低 HS + LS RDS(ON)
- TJ = 25°C 且电压为 13.5V 时为 150m?
- TJ = 150°C 且电压为 13.5V 时为 250m?
- 用于输出电流检测的电流镜
- 可配置控制接口
- PH/EN
- PWM (IN1/IN2)
- 独立半桥控制
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
- SPI 或硬件接口选项
- 低功耗睡眠模式 (10μA)
- 小型封装和外形尺寸
- 24 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) PowerPAD?IC 封装
- 保护 特性
- VM 欠压闭锁 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- 过流保护 (OCP)
- 输出对电池短路和接地短路保护
- 开路负载检测
- 热关断 (TSD)
- 故障状况输出 (nFAULT/SPI)
DRV8873-Q1 器件是用于驱动汽车应用中的刷式直流电机的集成式 驱动器 IC。两个逻辑输入控制 H 桥驱动器,该驱动器包含四个能够以高达 10A 的峰值电流双向驱动电机的 N 沟道 MOSFET。该器件由单一电源供电,支持 4.5V 至 38V 的宽输入电源范围。
该器件可通过 PH/EN 或 PWM 接口轻松连接至控制器电路。或者,可以使用独立的半桥控制来驱动两个电磁阀负载。
控制器可利用电流镜来监控负载电流。该电流镜接近于流经高侧 FET 的电流,并且不需要使用高功率电阻器来检测电流。
提供了低功耗睡眠模式,以通过关断大量内部电路来实现极低的静态电流消耗。还提供了用于欠压锁定、电荷泵故障、过流保护、短路保护、开路负载检测和过热的内部保护功能。可通过 nFAULT 引脚和 SPI 寄存器来指示故障状况。