| Number of full bridges | 1 |
| Vs (Min) (V) | 5.5 |
| Vs ABS (Max) (V) | 47 |
| Sleep current (uA) | 14 |
| Control mode | Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM |
| Control interface | Hardware (GPIO) |
| Features | Current Regulation, Current Sense Amplifier, Smart Gate Drive |
| Rating | Automotive |
| TI functional safety category | Functional Safety-Capable |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 符合面向汽车应用的 应用
- 器件温度等级 1：环境工作温度范围为 –40°C 至 +125°C
- 单通道 H 桥栅极驱动器
- 驱动四个外部 N 沟道 MOSFET
- 支持 100% 脉宽调制 (PWM) 占空比
- 工作电源电压范围：5.5V 至 45V
- 三个控制接口选项
- PH/EN、独立 H 桥和 PWM
- 用于配置的串行接口 (DRV8703-Q1)
- 智能栅极驱动架构
- 可调压摆率控制
- 每个 H 桥独立控制
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
- 电流分流放大器
- 集成 PWM 电流调节功能
- 低功耗睡眠模式
- 保护 特性
- 电源欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV) 锁定
- 过流保护 (OCP)
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 热关断 (TSD)
- 监视器计时器 (DRV8703-Q1)
- 故障调节输出 (nFAULT)
DRV870x-Q1 器件是一款小型单通道 H 桥栅极驱动器，它使用四个外部 N 通道 MOSFET，旨在驱动一个双向刷式直流电机。
PH/EN、独立 H 桥或 PWM 接口允许轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的电荷泵可提供 100% 占空比支持，而且可用于驱动外部反向电池开关。
独立半桥模式支持半桥共享，能够以具有成本效益的方式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应的电路，能够使用关断时间固定的 PWM 电流斩波来调节绕组电流。
DRV870x-Q1 器件采用了智能栅极驱动技术，因此无需任何外部栅极组件（电阻器和齐纳二极管），同时可为外部 FET 提供保护。智能栅极驱动架构可优化死区时间以避免出现任何击穿问题，在通过可编程压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性，而且可防止任何栅极短路问题。此外，该架构中还包括主动和被动下拉特性，可防止任何 dv/dt 栅极导通。