| Rating | Catalog |
| Architecture | Gate driver |
| Control interface | 6xPWM, 3xPWM |
| Vs (Min) (V) | 4.5 |
| Vs ABS (Max) (V) | 65 |
| Features | Bootstrap Architecture for Gate Driver, Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge Pump, HW based configuration, 1x low side current sense |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
DRV8329 系列器件是适用于三相应用的集成栅极驱动器。这类器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。该器件使用内部电荷泵生成合适的栅极驱动电压，使用自举电路增强高侧 MOSFET。具有涓流电荷泵，支持 100% 占空比。此栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。 DRV8329 由单一电源供电，支持 4.5V 至 60V 的宽输入电源电压范围。
6x 和 3x PWM 模式可简化与控制器电路的连接。该器件具有集成的精密 3.3V LDO，该 LDO 可用于为外部控制器供电，并可用作 CSA 的基准电压。器件的配置设置可通过硬件 (H/W) 引脚来配置。
DRV8329 器件集成了低侧电流检测放大器，可在驱动级的全部三个相位上进行电流检测，以获得电流总和。
提供低功耗休眠模式，可通过关断大部分内部电路实现低静态电流。针对欠压锁定、GVDD 故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路和过热等情况，提供内部保护功能。在 nFAULT 引脚上指示故障条件。