| Rating | Catalog |
| Architecture | Gate driver |
| Control interface | 6xPWM, 3xPWM |
| Vs (Min) (V) | 4.5 |
| Vs ABS (Max) (V) | 65 |
| Features | Bootstrap Architecture for Gate Driver, Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge Pump, HW based configuration |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 65V 三相半桥栅极驱动器
- 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET (NMOS)
- 4.5V 至 60V 工作电压范围
- 具有涓流电荷泵，支持 100% 占空比
- 基于自举的栅极驱动器架构
- 1000 mA 最大峰值拉电流
- 2000mA 最大峰值灌电流
- 硬件接口提供简单配置
- 温度为 25 ?C 时，超低功耗休眠模式下的电流 <1uA
- 4 ns（典型值）相位间传播延迟匹配
- 独立驱动器关断路径 (DRVOFF)
- 65V 耐压唤醒引脚 (nSLEEP)
- SHx 引脚瞬态负压可达 -10V
- 6x 和 3x PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
- 精密 LDO (AVDD)，3.3V ±3%，80 mA
- 紧凑型 QFN 封装和尺寸
- 可通过 VDSLVL 引脚调节 VDS 过流阈值
- 可通过 DT 引脚调节死区时间
- 具有电源块的高效系统设计
- 集成保护特性
- PVDD 欠压闭锁 (PVDDUV)
- GVDD 欠压 (GVDDUV)
- 自举欠压 (BST_UV)
- 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP）
- 热关断 (OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
DRV8328 系列器件是适用于三相应用的集成栅极驱动器。这类器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。该器件使用内部电荷泵生成合适的栅极驱动电压，使用自举电路增强高侧 MOSFET。具有涓流电荷泵，支持 100% 占空比。此栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。 DRV8328 由单一电源供电，支持 4.5V 至 60V 的宽输入电源电压范围。
6x 和 3x PWM 模式可简化与控制器电路的连接。该器件具有集成的精密 3.3V LDO，该 LDO 可用于为外部控制器供电，并可用作 CSA 的基准电压。器件的配置设置可通过硬件 (H/W) 引脚来配置。
提供低功耗休眠模式，可通过关断大部分内部电路实现低静态电流。针对欠压锁定、GVDD 故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路和过热等情况，提供内部保护功能。在 nFAULT 引脚上指示故障条件。